Pat
J-GLOBAL ID：200903067527969550
半導体発光装置およびその製作方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
伊東 忠彦
, 大貫 進介
, 伊東 忠重
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005241441
Publication number (International publication number)：2006074036
Application date： Aug. 23, 2005
Publication date： Mar. 16, 2006
Summary：
【課題】本発明の課題は、チップのパッケージ化の前に、ウェハまたはチップ全体に蛍光体構造体が形成され、チップを覆う蛍光体の厚さの不均一性によって生じる色の変化を防止することができる半導体発光装置およびその製作方法を提供することである。【解決手段】半導体発光装置は、不透光性基板と、接合構造体と、半導体発光スタックと、該半導体発光スタックを覆うように設置された蛍光体構造体とを有する。半導体発光スタックは、成長基板から分離され、接合構造体を介して不透光性基板に接合される。半導体発光装置を製作する方法は、半導体発光スタックを成長基板から分離するステップと、半導体発光スタックを不透光性基板に接合するステップと、半導体発光スタックを覆うように蛍光体構造体を形成するステップとを含む。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
不透光性基板、
接合構造体、
一次光を放射する半導体発光スタックであって、成長基板から分離され、前記接合構造体を介して前記不透光性基板に接合された半導体発光スタック、および
前記半導体発光スタックを被覆するように設置された蛍光体構造体であって、前記一次光を吸収して変換光を放射する蛍光体を有し、実質的に前記半導体発光スタックの輪郭に合わせるように設置された蛍光体構造体、
を有する半導体発光装置。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (10)：
5F041AA11
, 5F041DA12
, 5F041DA13
, 5F041DA19
, 5F041DA32
, 5F041DA33
, 5F041DA36
, 5F041DA74
, 5F041EE25
, 5F041FF11
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (12)
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発光装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2002-331250
Applicant：日亜化学工業株式会社
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特開昭61-073100
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接着層を有する発光ダイオード及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2003-197103
Applicant：晶元光電股ふん有限公司
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