窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000196854
Publication number (International publication number)：2002016284
Application date： Jun. 29, 2000
Publication date： Jan. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】多重量子井戸構造の活性層を有する窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法であって、発光効率の高い素子が得られる製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は成長速度に特徴のある製造方法である。すなわち、有機金属気相成長法により、一般式In<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<X<1)/In<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB> N(0≦Y<X)で表される多重量子井戸構造の活性層を有する窒化ガリウム系半導体発光素子を成長させる場合、前期活性層を0.4[μm/h]〜2.0[μm/h]、望ましくは0.6[μm/h]〜1.5[μm/h]、さらに望ましくは0.8[μm/h]〜1.2[μm/h]の成長速度で成長させる。In<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<X<1)well層の膜厚は1.5〜4.5[nm]、 barrier層の膜厚は、In<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<X<1) well層の膜厚の1.5〜5.0倍が良い。

Claim (excerpt)：

一般式In<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<X<1)/In<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB> N(0≦Y<X)で表される多重量子井戸構造の活性層を有する窒化ガリウム系半導体発光素子を成長させる方法であって、前期活性層を0.4[μm/h]〜2.0[μm/h]の成長速度で成長させることを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 , C23C 16/34 , H01L 21/205

FI (3)：

H01L 33/00 C , C23C 16/34 , H01L 21/205

F-Term (39)：

4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA38 , 4K030BB12 , 4K030CA05 , 4K030CA17 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030HA04 , 4K030JA01 , 4K030JA10 , 4K030JA12 , 5F041AA04 , 5F041CA05 , 5F041CA13 , 5F041CA34 , 5F041CA46 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041FF01 , 5F041FF11 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AF09 , 5F045BB16 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA55

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-038324 Applicant：株式会社東芝
半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-215147 Applicant：富士通株式会社
半導体発光素子、光半導体素子、発光ダイオード及び表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-038138 Applicant：富士通株式会社

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