アニーリングによる相変化材料の状態の遷移

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人原謙三国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007107342
Publication number (International publication number)：2007300091
Application date： Apr. 16, 2007
Publication date： Nov. 15, 2007
Summary：

【課題】相変化材料が低温で堆積され、その後の工程において結晶化温度を超えて加熱されるとアモルファス状態から結晶状態へと遷移し、その体積が最大約10%減少する。この減少により相変化材料上に堆積された材料層の剥離が起こるので、その防止を図ることのできる半導体デバイスを提供する。【解決手段】半導体デバイスは、前処理されたウェハ110と、当該前処理されたウェハ110に接触しており、かつアニーリングされた相変化材料層118とを有している。上記半導体デバイスは、上記アニーリングされた相変化材料層118と接触している第1の材料層114を有している。【選択図】図10

Claim (excerpt)：

前処理されたウェハと、上記前処理されたウェハに接触しており、かつアニーリングされた相変化材料層と、上記アニーリングされた相変化材料層に接触している第1の材料層と、を有した半導体デバイス。

IPC (2)：

H01L 27/105 , H01L 45/00

FI (2)：

H01L27/10 448 , H01L45/00 A

F-Term (7)：

5F083FZ10 , 5F083GA27 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特表平6-509909
不揮発性メモリ及び不揮発性メモリの記録再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-294762 Applicant：株式会社リコー
半導体記憶装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-010199 Applicant：株式会社ルネサステクノロジ

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