半導体装置および半導体装置を搭載する記憶装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999131336
Publication number (International publication number)：2000322314
Application date： May. 12, 1999
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】相互に接続することによりメモリカードの容量を容易に増設することができる、フラッシュメモリを内蔵するATAコントローラを提供する。【解決手段】内蔵フラッシュメモリ14とATAコントローラ部2とをワンチップに集積し、さらに、コントローラ接続インターフェース20を搭載する。コントローラ接続インターフェースによって各半導体装置1を相互に接続することができ、半導体装置1は電源投入直後のリセット信号CRSTの解除されるタイミングに従い制御信号群FC1およびデータバスFIOB1の入力条件を検知しATAコントローラとして動作するか、増設用フラッシュメモリとして動作するかが決定される。

Claim (excerpt)：

外部データバスの状態に応じて動作モードの選択を行なう機能選択回路と、前記動作モードが主動作モードのときに、ホストシステムから読出要求および指定されたアドレス信号を受けて対応する読出制御信号および変換アドレス信号を出力し、かつ、前記変換アドレス信号に対応する読出データを受けて前記ホストシステムに出力する制御回路と、前記読出制御信号、前記変換アドレス信号および前記読出データを授受するための内部データバスと、前記動作モードが副動作モードのときに、前記外部データバスと前記内部データバスとを接続する接続回路と、前記内部データバスから前記読出制御信号および前記変換アドレス信号を受けて、対応する前記読出データを前記内部データバスに出力する第1の不揮発性メモリとを備える、半導体装置。

IPC (3)：

G06F 12/00 550 , G06F 12/06 515 , G06K 19/07

FI (3)：

G06F 12/00 550 C , G06F 12/06 515 C , G06K 19/00 N

F-Term (4)：

5B035AA04 , 5B035BB09 , 5B035CA29 , 5B060MM01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

PCカード装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-339018 Applicant：株式会社村田製作所
リセット信号による集積回路のモード設定方式
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-109951 Applicant：富士通株式会社
大規模集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-221909 Applicant：株式会社東芝

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