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J-GLOBAL ID：200903067648819229

半導体装置及びその半導体装置に用いられる半導体部品の製造方法

Inventor： 有川 正 ,  市田 晃
Applicant, Patent owner： 東京タングステン株式会社
Agent (1)： 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994057306
Publication number (International publication number)：1995307422
Application date： Mar. 28, 1994
Publication date： Nov. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 面積が大きく、複数の素子を搭載する搭載基板に高い熱が与えられてもソリ等の変形が生じず、しかも軽量化及び低価格化を図ることができる半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 モリブデン又はタングステンと銅とからなる半導体部品を含む半導体装置であって、銅が40重量%以上で、前記半導体部品が、熱伝導率200W/m・K以上、密度10g/cm3 以下、ヤング率14,000kg/mm2 以上の特性を有するように構成されている。

Claim (excerpt)：

半導体素子を搭載するための手段として、モリブデン又はタングステンによる第1の金属と銅による第2の金属とからなる半導体部品を含む半導体装置において、前記第2の金属が40重量%以上であって、前記半導体部品が、熱伝導率200W/m・K以上、密度10g/cm3 以下、ヤング率14,000kg/mm2 以上の特性を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/373 ,  B22F 3/18 ,  H01L 23/12

FI (2)：

H01L 23/36 M ,  H01L 23/12 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-180534
  
• Cu-Mo複合圧延板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-288517   Applicant：東京タングステン株式会社
• 特開平4-180534