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J-GLOBAL ID：200903067658003553

半導体装置

Inventor：
入口 千春

About 入口 千春


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (2)： 上柳 雅誉 ,  宮坂 一彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007043392
Publication number (International publication number)：2007300068
Application date： Feb. 23, 2007
Publication date： Nov. 15, 2007
Summary：
【課題】出力電流が減少することを抑えると共に、リーク電流が流れることを抑えることができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置21は、マルチゲート構造を備え、互いに離れた第1チャネル領域31及び第2チャネル領域32と、これら二つのチャネル領域31,32を接続する高濃度不純物領域33と、第1チャネル領域31に隣接する独立したソース領域34と、第2チャネル領域32に隣接する独立したドレイン領域35とを有する半導体層23が形成されている。また、半導体層23上には、ゲート絶縁膜24と、ゲート絶縁膜24上に形成された第1ゲート電極16及び第2ゲート電極17とが形成されている。第2ゲート電極17には、第2アルミ配線層27bの一端38と第1ゲート電極16とが平面的に重なり合う領域Aにある層間絶縁膜25をキャパシタとした層間絶縁膜キャパシタ19が、直列に接続されている。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
基板と、 第1ゲート電極と、 第2ゲート電極と、 前記基板と前記第1ゲート電極との間に位置する第1チャネル領域と、 前記基板と前記第2ゲート電極との間に位置する第2チャネル領域と、 少なくとも前記第1チャネル領域と前記第1ゲート電極との間、及び、前記第2チャネル領域と前記第2ゲート電極との間、に位置するゲート絶縁膜と、 前記基板と前記ゲート絶縁膜との間に位置する第1導電部、第2導電部、及び第3導電部と、 前記第2ゲート電極と電気的に接続され、かつ、前記第1ゲート電極の一部と重なる中間電極と、を含み、 前記第1導電部と前記第2導電部との間に前記第1チャネル領域が位置し、前記第2導電部と前記第3導電部との間に前記第2チャネル領域が位置することを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 51/05
FI (5)：
H01L29/78 617N ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/04 C ,  H01L29/28 100A
F-Term (29)：
5F038AC04 ,  5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC14 ,  5F038AC15 ,  5F038AC19 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ20 ,  5F110AA06 ,  5F110AA11 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE28 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG28 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HL03 ,  5F110NN72
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (3)

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