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J-GLOBAL ID：200903067822701941

半導体装置の作製方法

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996093369
Publication number (International publication number)：1997260681
Application date： Mar. 23, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：
【要約】【目的】 線状のレーザー光を用いたアクティブマトリクス領域の形成工程において、レーザー光のビーム内照射エネルギー密度のバラツキによる縞模様表示を抑制する。【構成】 ガラス基板101上に形成されるアクティブマトリクス領域102を構成する半導体薄膜に対するレーザーアニールにおいて、104で示されるマトリクス状に配置される薄膜トランジスタ群に対して、マトリクスを構成する行または列に対して線状のレーザー光103の長手方向がAで示されるある角度をもつようにする。そしてこの状態で線状のレーザー103を109で示される方向に走査して照射する。このようにすることにより、レーザービーム103内の照射エネルギー密度のバラツキによる影響が表示の際に現れることを抑制することができる。
Claim (excerpt)：
マトリクス状に配置されたアクティブマトリクス回路を有する半導体装置の作製方法であって、アクティブマトリクス回路を構成する半導体薄膜に対して、マトリクスを構成する行または列から 10°〜80°または-10°〜-80°の角度を有した方向に長手方向を有する線状のレーザー光を走査しながら照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (7)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01S 3/225
FI (6)：
H01L 29/78 627 G ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/12 R ,  H01S 3/223 E
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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