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J-GLOBAL ID：200903067893952279

短波長発光素子

Inventor： 福永 敏明
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 柳田 征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998085282
Publication number (International publication number)：1999284282
Application date： Mar. 31, 1998
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】 青色領域や緑色領域のレーザービームを、効率良く高出力で発生可能な短波長発光素子を得る。【解決手段】 立方晶のGaNまたはGaNAs基板1を用い、活性層4をInx3Ga1-x3N1-y3Asy3量子井戸とし、そしてクラッド層2、6および光導波層5を、基板1に格子整合する、NとAsの両方を含むGaAlNAs系、あるいはGaAlNAs/GaNAs超格子とする。

Claim (excerpt)：

立方晶のGaNまたはGaNAs基板と、基板に格子整合するGa1-z1Alz1N1-y1Asy1またはGa1-z1Alz1N1-y1Asy1/GaN1-y1Asy1超格子からなるクラッド層と、基板に格子整合するGa1-z2Alz2N1-y2Asy2またはGa1-z2Alz2N1-y2Asy2/GaN1-y2Asy2超格子からなる光導波層と、Inx3Ga1-x3N1-y3Asy3量子井戸活性層とからなる短波長発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-358988   Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩