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J-GLOBAL ID：200903067903883521

量子ドットを有する半導体光装置

Inventor： 江部 広治 ,  中田 義昭 ,  秋山 知之
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (2)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002246175
Publication number (International publication number)：2004087749
Application date： Aug. 27, 2002
Publication date： Mar. 18, 2004
Summary：

【課題】TMモードの光と相互作用することのできる、引張り歪みを持つ量子ドットを有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体光装置は、第1の格子定数を有する第1の半導体の表面を有する基板と、前記基板上に形成された半導体積層であって、前記第1の格子定数よりも小さい第2の格子定数を有する第2の半導体で形成された第1種の量子ドットを含む活性層を有する半導体積層とを有する。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

第1の格子定数を有する第1の半導体の表面を有する基板と、 前記基板上に形成された半導体積層であって、前記第1の格子定数よりも小さい第2の格子定数を有する第2の半導体で形成された第1種の量子ドットを含む活性層を有する半導体積層と を有する半導体光装置。

IPC (6)：

H01S5/50 ,  H01S5/026 ,  H01S5/20 ,  H01S5/223 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

FI (7)：

H01S5/50 ,  H01S5/026 618 ,  H01S5/20 610 ,  H01S5/223 ,  H01S5/323 ,  H01S5/323 610 ,  H01S5/343 610

F-Term (9)：

5F073AA04 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073AA75 ,  5F073AA77 ,  5F073AA83 ,  5F073CA02 ,  5F073CA17 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 光半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-138557   Applicant：富士通株式会社
• 量子ドット構造の製造方法及びそれを用いた半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-318832   Applicant：日本電気株式会社