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J-GLOBAL ID：200903067917801811

シリコンウエーハ及びその製造方法

Inventor： ツォン リー ,  吉川 淳 ,  斎藤 広幸 ,  林 健郎 ,  竹田 隆二
Applicant, Patent owner： 東芝セラミックス株式会社
Agent (1)： 田辺 徹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996308610
Publication number (International publication number)：1998144696
Application date： Nov. 06, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 BMD密集層をデバイス活性層から遠ざけることによって、BMDの悪影響がデバイス特性に及び難いシリコンウエーハとその製造方法を提供する。【解決手段】 CZシリコンウエーハに水素雰囲気で1000°C以上の熱処理工程を行い、しかる後に降温工程の一部又は全部をアルゴンガス雰囲気で行うことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。前記方法で製造され、表層に無欠陥層(DZ層)を有するシリコンウエーハにおいて、酸素析出物(BMD)が集中しているBMD高密度領域が、無欠陥層(DZ層)の内側境界より所定距離だけ内側に位置することを特徴とするシリコンウエーハ。

Claim (excerpt)：

CZシリコンウエーハに水素雰囲気で1000°C以上の熱処理工程を行い、しかる後に降温工程の一部又は全部をアルゴンガス雰囲気で行うことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体基板の熱処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-302251   Applicant：株式会社東芝
• 半導体基板の熱処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-138536   Applicant：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
• シリコンウエハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-159209   Applicant：東芝セラミックス株式会社