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J-GLOBAL ID：200903067970452039

強誘電体薄膜素子ならびにセンサ、および強誘電体薄膜素子の製造方法

Inventor： 李 効民 ,  田中 克彦
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000072758
Publication number (International publication number)：2001267645
Application date： Mar. 15, 2000
Publication date： Sep. 28, 2001
Summary：

【要約】【課題】小型で優れた性能を有し、かつ、安価で加工が容易な強誘電体薄膜素子およびそれを用いたセンサとその製造方法を提供する。【解決手段】Si基板上にバッファ層を形成することによって、これらのバッファ層を介して金属薄膜と強誘電体薄膜を順次、配向またはエピタキシャル成長させ、続いて各種エッチング技術を用いてSi基板やバッファ層を部分的に除去することによって小型で優れた性能を有する強誘電体薄膜素子を形成する。

Claim (excerpt)：

Si基板と、Si基板上に形成された薄膜積層体とを有する強誘電体薄膜素子であって、前記薄膜積層体は、Si基板上にエピタキシャル成長したバッファ層と、バッファ層上にエピタキシャル成長した金属薄膜からなる下部電極と、下部電極上に配向成長またはエピタキシャル成長した強誘電体薄膜と、強誘電体薄膜上に形成された上部電極とを有し、前記薄膜積層体の一部は、前記Si基板から浮かせるように配置されていることを特徴とする強誘電体薄膜素子。

IPC (6)：

H01L 41/08 ,  G01J 1/02 ,  G01P 15/09 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22

FI (7)：

G01J 1/02 Y ,  G01P 15/09 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/08 D ,  H01L 41/08 Z ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 41/22 Z

F-Term (5)：

2G065AB02 ,  2G065BA02 ,  2G065BA13 ,  2G065BA14 ,  2G065DA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 薄膜圧電素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-139997   Applicant：ティーディーケイ株式会社