Pat

J-GLOBAL ID：200903076701989025

薄膜圧電素子

Inventor： 矢野 義彦 ,  野口 隆男 ,  阿部 秀典 ,  斉藤 久俊
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999139997
Publication number (International publication number)：2000332569
Application date： May. 20, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 従来に比べ桁違いに広帯域なFBARを実現できる薄膜圧電素子を提供する。【解決手段】 Si基板2上に、エピタキシャル膜である金属薄膜4を有し、この金属薄膜4上にPZT薄膜5を有し、このPZT薄膜5における原子比Ti/(Ti+Zr)が0.65から0.90の範囲にある薄膜圧電素子。

Claim (excerpt)：

Si基板上に、エピタキシャル膜である金属薄膜を有し、この金属薄膜上にPZT薄膜を有し、このPZT薄膜における原子比Ti/(Ti+Zr)が0.65から0.90の範囲にある薄膜圧電素子。

IPC (5)：

H03H 9/17 ,  C30B 29/32 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/187

FI (5)：

H03H 9/17 F ,  C30B 29/32 A ,  H01L 41/08 U ,  H01L 41/08 D ,  H01L 41/18 101 D

F-Term (12)：

4G077AA03 ,  4G077AA07 ,  4G077AB02 ,  4G077BC43 ,  4G077DA01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  5J108BB05 ,  5J108CC04 ,  5J108EE03 ,  5J108KK01 ,  5J108MM08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 圧電薄膜共振子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-003748   Applicant：三菱マテリアル株式会社
• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-174123   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 膜構造体、電子デバイス、記録媒体および酸化物導電性薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-189065   Applicant：ティーディーケイ株式会社