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J-GLOBAL ID:200903067988273590

ホツトプレート

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991313295
Publication number (International publication number):1993129210
Application date: Nov. 01, 1991
Publication date: May. 25, 1993
Summary:
【要約】【目的】 シリコンウェーハ等の試料の高精度かつ均一な高温加熱を可能としたホットプレートの提供。【構成】 熱分解窒化ほう素からなる基材(1)の一方の面に静電チャック用電極(2)が、他方の面に加熱用電極(3)がいずれも熱分解黒鉛で形成されてなり、しかも静電チャック用電極の給電部(4)と加熱用電極の給電部(5)を除く部分に熱分解窒化ほう素被覆膜(6)が施されてなることを特徴とするホットプレート。
Claim (excerpt):
熱分解窒化ほう素からなる基材(1)の一方の面に静電チャック用電極(2)が、他方の面に加熱用電極(3)がいずれも熱分解黒鉛で形成されてなり、しかも静電チャック用電極の給電部(4)と加熱用電極の給電部(5)を除く部分に熱分解窒化ほう素被覆膜(6)が施されてなることを特徴とするホットプレート。
IPC (5):
H01L 21/205 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/68
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 基板の温度制御方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-247898   Applicant:株式会社東芝
  • 特開平4-358074

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