半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001036827
Publication number (International publication number)：2002246528
Application date： Feb. 14, 2001
Publication date： Aug. 30, 2002
Summary：

【要約】【課題】半導体装置の歩留りの向上を図る。【解決手段】デバイス領域の切断部の角部においてダムバー1iをモールドラインに接近させたことにより、リード切断工程でタブ吊りリードの切断とともに、ピンチカットパンチ7によって封止部3の周縁封止部3cの外側のダムバー1iのみに荷重を付与することができ、これにより、周縁封止部3cとダムバー1iとを剥離して分離することができ、その結果、本体封止部3bや周縁封止部3cの裏面3aにクラックが形成されることを防止してQFNの歩留りを向上できる。

Claim (excerpt)：

チップ搭載部と、その周囲に配置された複数のリードと、前記チップ搭載部および前記複数のリードをそれぞれに備えた複数のデバイス領域を区画する切断部とを有したリードフレームを用いて組み立てる半導体装置の製造方法であって、前記切断部にモールド時の封止用樹脂の流出を阻止するダム部が設けられた前記リードフレームを準備する工程と、前記チップ搭載部に前記半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップを樹脂封止して本体封止部を形成するとともに、前記本体封止部と一体でこれの周縁部に前記ダム部に密着させて周縁封止部を形成する工程と、前記リードフレームの前記デバイス領域の角部の前記切断部において、切断用パンチによって前記周縁封止部の外側の前記ダム部に荷重を付与して前記ダム部を前記周縁封止部から剥離するとともに、前記複数のリードを前記リードフレームから切断分離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 23/50 , H01L 23/12 , H01L 23/28

FI (3)：

H01L 23/50 K , H01L 23/28 J , H01L 23/12 L

F-Term (7)：

4M109AA01 , 4M109CA21 , 4M109DB15 , 5F067AA07 , 5F067AB04 , 5F067DE01 , 5F067DF16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平3-296254
特開昭62-065445
リ-ドフレ-ム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-270173 Applicant：株式会社東芝

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