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J-GLOBAL ID：200903067994421304
不揮発性メモリ素子の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
鷲頭 光宏
, 緒方 和文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005362024
Publication number (International publication number)：2007165710
Application date： Dec. 15, 2005
Publication date： Jun. 28, 2007
Summary：
【課題】記録層と絶縁膜との間の十分な接着性を確保しつつ、セット状態とリセット状態との間で所望の抵抗比を得る。【解決手段】不揮発性メモリ素子10は、コンタクトホール11aを有する層間絶縁膜11と、コンタクトホール11a内に設けられた下部電極12と、層間絶縁膜11上にこの順に設けられた接着層14、記録層15及び上部電極16とを備えて構成されている。記録層15は相変化材料によって構成され、記録層15には窒素が添加されている。この窒素は、相変化材料の結晶相とアモルファス相との間の十分な抵抗比を得るのに役立ち、初期化工程が行われていない製品完成直後の段階から所望の抵抗比を得ることができる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
下部電極と電気的に接続されるよう、層間絶縁膜上に接着層を形成する第1の工程と、
前記接着層上に相変化材料を含む記録層を形成する第2の工程と、
前記記録層と電気的に接続される上部電極を形成する第3の工程と、
少なくとも前記下部電極と前記記録層との間に位置する前記接着層の一部を前記記録層内に拡散させる第4の工程を備えることを特徴とする不揮発性メモリ素子の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L27/10 448
, H01L45/00 A
5F083FZ10
, 5F083JA35
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA60
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083PR22
