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J-GLOBAL ID：200903033117254918

半導体装置における微小コンタクト領域、高性能相変化メモリセル及びその製造方法

Inventor： ロベルト・ベズ ,  ファビオ・ペリゼール ,  カテリーナ・リーヴァ ,  ロミーナ・ゾンカ
Applicant, Patent owner： エスティーマイクロエレクトロニクス エス.アール.エル ,  オヴォニクス インコーポレイテッド
Agent (1)： 筒井 大和 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002353352
Publication number (International publication number)：2003174144
Application date： Dec. 05, 2002
Publication date： Jun. 20, 2003
Summary：

【要約】【課題】 微小コンタクト構造を有する高性能相変化メモリセルを提供する。【解決手段】 コンタクト構造は第1方向に第1サブリソグラフィック寸法の第1の薄膜部分を有する第1伝導性領域と、前記第1方向を横断する第2方向で第2サブリソグラフィック寸法の第2の薄膜部分を有する第2伝導性領域を含む。第1と第2の薄膜部分は直接電気的に接触し、サブリソグラフィック延長部を有する接触面を構成する。薄膜部分はリソグラフィではなくデポジションを用いて形成する。第1の薄膜部分は第1誘電体層内の開口部の壁に堆積される。第2の薄膜部分は、第1限界層の垂直壁に犠牲領域を付着し、犠牲領域の堆積のない側面に第2限界層を付着し、その後犠牲領域を取り除き、モールド層内のモールド開口部エッチング用のサブリソグラフィック開口部を形成し、モールド開口部を充填することにより形成する。

Claim (excerpt)：

第1方向に第1サブリソグラフィック寸法を有する第1の薄膜部分を含む第1伝導性領域と、前記第1方向を横断する第2方向に第2サブリソグラフィック寸法を有する第2の薄膜部分を含む第2伝導性領域とを備え、前記第1及び第2の伝導性領域が、前記第1及び第2の薄膜部分と直接電気的に接触し、サブリソグラフィック伸張部を有する接触面を構成することを特徴とする電子半導体装置におけるコンタクト構造。

F-Term (11)：

5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083JA60 ,  5F083NA01 ,  5F083PR09 ,  5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 改善された接合を有する電気的にプログラム可能なメモリ素子
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-607287   Applicant：オヴォニクスインコーポレイテッド
• 記憶装置とその製造方法および使用方法、半導体装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-242653   Applicant：ソニー株式会社