Pat
J-GLOBAL ID:200903068048982505

フラッシュ型メモリ,その管理方法,記憶装置,コンピュータシステム

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 梶原 康稔
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997270520
Publication number (International publication number):1999096779
Application date: Sep. 17, 1997
Publication date: Apr. 09, 1999
Summary:
【要約】【課題】 フラッシュ型メモリの書換回数を低減するとともに、拡張記憶装置上でプログラムの実行を可能とする。【解決手段】 フラッシュメモリ側の物理アドレスでは、各ブロック毎にヘッダエリア及びプログラム・データエリアを配置する。しかし、プロセッサ側の論理アドレス上では、各ブロックのヘッダエリア及びプログラム・データエリアを連続して配置する。プログラム・データエリアnに含まれるデータを書き換えるときは、データエリアnのブロックと、対応するヘッダエリアのブロックも書き換える必要がある。しかし、フラッシュメモリ12の物理アドレス上でみると、プログラム・データエリアnは該当するヘッダエリアとともに同一ブロック内にある。従って、そのブロックのみを書き換えればよい。
Claim (excerpt):
ブロック単位で記憶内容を消去するフラッシュ型メモリであって、自己のブロックの管理情報を記憶する第1の領域と、主情報を記憶する第2の領域とを、各ブロック毎に設けたことを特徴とするフラッシュ型メモリ。
IPC (2):
G11C 16/02 ,  G06F 12/02 510
FI (2):
G11C 17/00 601 A ,  G06F 12/02 510 A
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
  • メモリカード装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-200519   Applicant:株式会社東芝, 東芝エー・ブイ・イー株式会社
  • ファイル装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-091923   Applicant:株式会社リコー
  • 情報処理装置及びその制御方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-350383   Applicant:キヤノン株式会社
Show all
Cited by examiner (6)
  • メモリカード装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-200519   Applicant:株式会社東芝, 東芝エー・ブイ・イー株式会社
  • ファイル装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-091923   Applicant:株式会社リコー
  • 情報処理装置及びその制御方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-350383   Applicant:キヤノン株式会社
Show all

Return to Previous Page