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J-GLOBAL ID：200903068063948860

半導体ウェーハの製造方法

Inventor： 加藤 忠弘 ,  笠原 裕夫
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 志波 邦男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997137519
Publication number (International publication number)：1998312989
Application date： May. 13, 1997
Publication date： Nov. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 低コストで高平坦な半導体ウェーハを製造する方法を提供する。【解決手段】 半導体ウェーハ10の加工工程中に生成した表面加工変質層13をアルカリエッチングする前に、アルカリ溶液に対し比較的容易に溶解若しくは分解する流動体18を半導体ウェーハ10の表面11に付着させる。流動体18の付着方法は、半導体ウェーハ10を流動体18中に浸漬するか、若しくは半導体ウェーハ10の表面11に流動体18を塗布する。

Claim (excerpt)：

半導体ウェーハの加工工程中に生成した表面加工変質層をアルカリエッチングする工程を含む半導体ウェーハの製造方法において、アルカリエッチングを行う前に、アルカリ溶液に対し比較的容易に溶解若しくは分解する流動体を前記半導体ウェーハの表面に付着させることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/308

FI (4)：

H01L 21/306 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/308 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭64-042824
  
• 特開平4-199621
  
• シリコンウエハの損傷結晶領域除去方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-114853   Applicant：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング