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J-GLOBAL ID：200903068068605848

半導体装置

Inventor： 田中 英行
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (6)： 角田 嘉宏 ,  古川 安航 ,  西谷 俊男 ,  幅 慶司 ,  内山 泉 ,  是枝 洋介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005020629
Publication number (International publication number)：2006210639
Application date： Jan. 28, 2005
Publication date： Aug. 10, 2006
Summary：

【課題】 粒径100nm以下の微粒子を挟んだ電極間の絶縁信頼性を高めること。 【解決手段】 微粒子201と、上部電極103と、下部電極104と、誘電体102、微粒子201と同程度の直径を有する柱状導電体202とを備え、孔の開いた誘電体102内部に柱状導電体202を埋め込む際に発生する凹部に微粒子201を捕捉させ、微粒子201と柱状導電体202を直列に接続することにより、上下電極間の誘電体102の厚さが微粒子のサイズより十分大きくなるので上下電極間の短絡が防止され、歩留まりの向上および装置の信頼性が高まる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

直径100nm以下の微粒子と、 基板面にほぼ垂直に誘電体中に埋め込まれ直径が微粒子の直径と同程度且つ高さが微粒子の直径の2倍以上である柱状導電体と、 微粒子と柱状導電体を直列にして挟み込んだ基板面に平行な2つの電極と を備えた半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/06 ,  B82B 1/00 ,  H01L 27/10 ,  H01L 29/41

FI (4)：

H01L29/06 601D ,  B82B1/00 ,  H01L27/10 451 ,  H01L29/44 Z

F-Term (14)：

4M104AA03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104FF01 ,  4M104GG20 ,  5F083FR01 ,  5F083FZ04 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083JA58

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 回路基板とその金属配線形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-332309   Applicant：科学技術振興事業団