回路基板とその金属配線形成方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川文廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000332309
Publication number (International publication number)：2002141351
Application date： Oct. 31, 2000
Publication date： May. 17, 2002
Summary：

【要約】【課題】高アスペクト比を持つ極微細な金属配線を効率よく形成する。【解決手段】回路基板上の配線となるべき部分に前もって実質的に溝または穴をあけておき、水または有機溶剤などの液体に100nm以下の粒径を持った金などの貴金属超微粒子を分散してコロイド状とした溶液を塗布することにより、貴金属超微粒子をキャピラリー効果で配線となるべき溝または穴中に導入し、溝または穴部分を貴金属超微粒子の凝集体で実質的に埋め込む。塗布工程中または塗布工程後において、電子回路基板を実質的に50°C以上400°C以下に加熱することによって、貴金属超微粒子を融合一体化して電気配線を形成する。

Claim (excerpt)：

相互に融着した、粒径が100nm 以下である貴金属超微粒子からなる金属配線を備えていることを特徴とする回路基板。

IPC (2)：

H01L 21/3205 , H01L 21/283

FI (2)：

H01L 21/283 A , H01L 21/88 B

F-Term (16)：

4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104DD51 , 4M104DD79 , 5F033HH07 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033MM01 , 5F033PP26 , 5F033QQ73 , 5F033WW00 , 5F033WW01 , 5F033WW03 , 5F033XX02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体基板への薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-255513 Applicant：真空冶金株式会社
金属薄膜の形成方法、および金属微粒子分散液の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-239355 Applicant：日本真空技術株式会社
導電性金属薄膜の形成方法およびその方法に使用する導電性金属超微粒子分散物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-069129 Applicant：真空冶金株式会社

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