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J-GLOBAL ID：200903068110354192

半導体基板に集積される磁気検出素子及び磁気検出モジュール

Inventor： 川人 祥二 ,  中村 哲郎
Applicant, Patent owner： 新技術事業団
Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994324234
Publication number (International publication number)：1996179023
Application date： Dec. 27, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 感度が高く、正確な磁気の検出を行うことができ、しかも超小型化が可能な半導体基板上に集積される磁気検出素子及び磁気検出モジュールを提供する。【構成】 半導体基板に集積される磁気検出素子において、半導体(シリコン)基板1上に形成される軟磁性膜コア2a,2bと、この軟磁性膜コア2a,2bを交流的に励磁するための金属膜により形成される励磁コイル3bと、金属膜により形成される磁束変化検出用コイル3aとを形成し、軟磁性膜コア2a,2bに励磁コイル3bと磁束変化検出用コイル3aを1ターンずつ交互に巻いた構造を有する。

Claim (excerpt)：

半導体基板に集積される磁気検出素子において、(a)半導体基板上に形成される軟磁性膜コアと、(b)該軟磁性膜コアを交流的に励磁するための金属膜により形成される励磁コイルと、(c)金属膜により形成される磁束変化検出用コイルとを形成したことを特徴とする磁気検出素子。

IPC (3)：

G01R 33/04 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-219580
  
• 磁気センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-010008   Applicant：富士通株式会社
• 特開昭54-128775