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J-GLOBAL ID：200903068190806455

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
鈴木 寿哉

About 鈴木 寿哉


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 北野 好人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002020518
Publication number (International publication number)：2003224206
Application date： Jan. 29, 2002
Publication date： Aug. 08, 2003
Summary：
【要約】【課題】 貴金属電極を用いたキャパシタを有する半導体装置及びその製造方法に関し、キャパシタ特性を劣化することなくトランジスタの特性を向上しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板10上に形成されたトランジスタと、トランジスタに電気的に接続されたキャパシタとを有する半導体装置であって、トランジスタとキャパシタとの間に形成された水素供給膜44と、水素供給膜44とキャパシタとの間に形成された水素拡散防止膜45とを有する。これにより、キャパシタ特性の劣化を防止しつつ、トランジスタの特性向上を図ることができる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成されたトランジスタと、前記トランジスタに電気的に接続されたキャパシタとを有する半導体装置であって、前記トランジスタと前記キャパシタとの間に形成され、水素を含有する第1の膜と、前記第1の膜と前記キャパシタとの間に形成され、水素の拡散を防止する第2の膜とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/8242 ,  H01L 27/108
FI (2)：
H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 621 C
F-Term (33)：
5F083AD24 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA33 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083JA60 ,  5F083KA19 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA17 ,  5F083MA18 ,  5F083NA01 ,  5F083PR05 ,  5F083PR09 ,  5F083PR18 ,  5F083PR21 ,  5F083PR23 ,  5F083PR29 ,  5F083PR40
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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