半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000198471
Publication number (International publication number)：2002016249
Application date： Jun. 30, 2000
Publication date： Jan. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】水素の外方拡散を抑制してゲート絶縁膜へ水素を効率的に供給することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 MIS構造を有するMIS型素子と、MIS型素子よりも上層側に形成され、MIS型素子のゲート絶縁膜12に水素を供給するための水素含有膜14と、水素含有膜よりも上層側に形成され、水素含有膜に含まれる水素の外方拡散を抑制する拡散防止膜15とを有する。

Claim (excerpt)：

MIS構造を有するMIS型素子と、前記MIS型素子よりも上層側に形成され、前記MIS型素子のゲート絶縁膜に水素を供給するための水素含有膜と、前記水素含有膜よりも上層側に形成され、前記水素含有膜に含まれる水素の外方拡散を抑制する拡散防止膜と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/78 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 21/324 , H01L 27/105

FI (8)：

H01L 21/316 X , H01L 21/316 M , H01L 21/316 P , H01L 21/318 B , H01L 21/318 M , H01L 21/324 X , H01L 29/78 301 N , H01L 27/10 444 C

F-Term (27)：

5F040DA00 , 5F040DC01 , 5F040EL01 , 5F040EL02 , 5F040EL06 , 5F040EM00 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BC08 , 5F058BD01 , 5F058BD07 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BH01 , 5F058BH04 , 5F058BJ10 , 5F083AD21 , 5F083AD49 , 5F083FR01 , 5F083GA25 , 5F083JA56 , 5F083KA20 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭62-055965
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-363013 Applicant：新日本製鐵株式会社
特開昭62-055965

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