イオンプレーティング装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井島藤治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996062527
Publication number (International publication number)：1997256148
Application date： Mar. 19, 1996
Publication date： Sep. 30, 1997
Summary：

【要約】【目的】再現性良くプラズマを発生でき、高品質な成膜を安定的に行うことができるイオンプレーティング装置を実現する。【構成】蒸発材料のイオン化を行う際、スイッチ30とスイッチ32は切り換えられ、チャージアップ防止電極23とシャッター31はフローティング電位とされる。この結果、生成されたプラズマはフローティング電位の電極26、電極23、シャッター31によって囲まれることになる。この各フローティング電位の電極等は、プラズマのセルフバイアス電位により、アースに対して負電位となる。この結果、プラズマ電子銃9から射出する電子は、真空チャンバー1内で閉じ込められることになり、電子密度が増加することになる。従って、チャンバー1内では均一性の良い高密度プラズマが生成される。

Claim (excerpt)：

チャンバーと、チャンバー内に設けられた被蒸着材料の蒸発源と、チャンバーの側部に設けられ、蒸発源から蒸発した材料をイオン化するための電子ビームを発生するプラズマ電子銃と、蒸発源の上部に設けられた開閉可能のシャッタ板と、チャンバー内に設けられチャンバー内で生成されるプラズマを囲むように配置されたフローティング電極と、シャッタ板の電位をアース電位とフローティング電位との間で切り換える手段とを備えたイオンプレーティング装置。

IPC (3)：

C23C 14/32 , H01J 37/32 , H05H 1/24

FI (3)：

C23C 14/32 B , H01J 37/32 , H05H 1/24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

イオンプレーティング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-053325 Applicant：株式会社ニコン
特公昭62-046630
イオンビームエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-157769 Applicant：株式会社日立製作所

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