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J-GLOBAL ID：200903068231900682

半導体装置の製造方法及び電子部品の実装方法

Inventor： 松木 浩久 ,  松井 弘之 ,  谷口 文彦 ,  兒玉 邦雄 ,  渡辺 英二 ,  水越 正孝
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000245929
Publication number (International publication number)：2001244283
Application date： Aug. 14, 2000
Publication date： Sep. 07, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体装置の製造方法に関し、フラックスを使用せず且つ半田層にボイドの発生をさせずに半田バンプの形成ができ、しかも半田バンプ整形後に洗浄が不要なこと。【解決手段】半導体装置の下地金属膜5の上に半田バンプ6を形成する工程と、カルボン酸を含み且つ減圧された雰囲気A中に半導体装置及び半田バンプ6を配置して加熱する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

半導体装置の金属膜の上に半田層を形成する工程と、カルボン酸を含み且つ減圧された雰囲気中に前記半導体装置及び前記半田層を配置する工程と、前記雰囲気中で前記半田層を加熱溶融する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 金属結合方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-226731   Applicant：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
• はんだバンプ形成用フラックス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-294921   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平4-171888