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J-GLOBAL ID:200903068246818613
高集積半導体配線構造およびその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
服部 雅紀
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994161471
Publication number (International publication number):1995058219
Application date: Jul. 13, 1994
Publication date: Mar. 03, 1995
Summary:
【要約】【目的】 自己整列されるコンタクトホールを利用した高集積半導体配線構造およびその製造方法を提供する。【構成】 高集積半導体配線構造は、多数の配線400群と、その間に形成されたコンタクト自己整列されたストレージノードコンタクトホール470を有する。多数の配線400については、ストレージノードコンタクトホール470が形成される部位は第1配線広さで形成され、残り部位は前記第1配線広さより広い第2配線広さで形成される。【効果】 コンタクトホールを自己整列方式で形成するので、ミスアラインによる短絡を防止することができる。
Claim (excerpt):
多数の配線と配線間に形成されたコンタクトホールを有する高集積半導体配線構造において、前記配線は、コンタクトホールが形成される部位は第1配線広さで形成され残り部位は前記第1配線広さより広い第2配線広さで形成されることを特徴とする高集積半導体配線構造。
IPC (5):
H01L 21/8242
, H01L 27/108
, H01L 21/3205
, H01L 21/8234
, H01L 27/088
FI (3):
H01L 27/10 325 C
, H01L 21/88 Z
, H01L 27/08 102 D
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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特開平4-229651
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特開平4-274362
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特開平2-275665
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特開平2-113570
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特開平4-259255
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集積半導体回路の接触孔形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-261934
Applicant:シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
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