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J-GLOBAL ID：200903068254467099

半導体ポリマー電解効果トランジスタ

Inventor：
バーニウス,マーク ティー.

About バーニウス,マーク ティー.

, 
ウー,エドムンド ピー.

About ウー,エドムンド ピー.


Applicant, Patent owner：
ザ ダウ ケミカル カンパニー

About ザ ダウ ケミカル カンパニー


Agent (1)： 石田 敬 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000594166
Publication number (International publication number)：2002535841
Application date： Dec. 22, 1999
Publication date： Oct. 22, 2002
Summary：
【要約】電解効果トランジスタは5つの素子から形成される。第一の素子は絶縁体層であり、これは電気絶縁体、例えばシリカであり、第一の側面と第二の側面を有する。第二の素子はゲートであり、これは電気導体、例えば銀であり、絶縁体層の第一の側面に隣接して配置されている。第三の素子は半導体層であり、これはポリマーを含み、このポリマーのモノマー単位の少なくとも10wt%は9-置換フルオレン単位及び9,9-置換フルオレン単位より選ばれ、この半導体層は第一の側面、第二の側面、第一の末端及び第二の末端を有し、この第二の側面は絶縁層の第二の側面に隣接している。第四の素子はソースであり、これは電気導体、例えば銀であり、半導体層の第一の末端と電気的に接触している。第五の素子はドレーンであり、これは電気導体、例えば銀であり、半導体層の第二の末端と電気的に接触している。ゲートに加えられる負電圧バイアスは半導体層にソースからドレーンへの導電チャンネルを形成する。ゲートに加えられる正バイアスは半導体層に導電チャンネルを形成する。
Claim (excerpt)：
(a)絶縁体層、この絶縁層は電気絶縁体であり、第一の側面と第二の側面を有している、 (b)ゲート、このゲートは電気導体であり、絶縁体層の第一の側面に隣接して配置されている、 (c)半導体層、この半導体層はポリマーを含み、このポリマーのモノマー単位の少なくとも10wt%は9-置換フルオレノ単位及び9,9-置換フルオレノ単位より選ばれ、この半導体層は第一の側面、第二の側面、第一の末端及び第二の末端を有し、この半導体層の第二の側面は絶縁体層の第二の側面と隣接している、 (d)ソース、このソースは電気導体であり、半導体層の第一の末端と電気的に接触している、 (e)ドレーン、このドレーンは電気導体であり、半導体の第二の末端と電気的に接触している、を含む電解効果トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 29/786 ,  C08G 61/00 ,  H01L 51/00
FI (3)：
C08G 61/00 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/28
F-Term (28)：
4J032CA12 ,  4J032CB01 ,  4J032CB04 ,  4J032CC01 ,  4J032CG01 ,  5F110AA05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE41 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF05 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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