多結晶半導体薄膜の形成方法、並びに薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：池内寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995198466
Publication number (International publication number)：1997045926
Application date： Aug. 03, 1995
Publication date： Feb. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】結晶の均一性に優れた多結晶半導体薄膜を形成できる多結晶半導体薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】非晶質半導体薄膜にパルス状レーザービームを各ショット毎にその照射領域が所定ピッチで移動するよう照射し、非晶質半導体薄膜を溶融・結晶化して多結晶半導体薄膜を形成する際、前記移動ピッチをPとし、前記レーザービームのエネルギー強度プロファイルにおける,前記非晶質半導体薄膜の結晶化を開始させる強度ETHを与えるビーム照射面での位置をX(ETH)とし、前記非晶質半導体薄膜のその厚み方向の全体を完全に結晶化させる強度E0 を与えるビーム照射面での位置をX(E0) としたとき、下記式を満足するように、パルス状レーザービームの照射領域を移動させる。【数1】

Claim (excerpt)：

基板の主面状に形成された多結晶化すべき半導体薄膜に、パルス状レーザービームを各ショット毎にその前記半導体薄膜への照射領域が所定ピッチで移動するよう照射して、前記半導体薄膜全域を溶融・結晶化する多結晶半導体薄膜の形成方法において、前記パルス状レーザービームの前記半導体薄膜への照射領域の移動ピッチをPとし、前記レーザービームのエネルギー強度プロファイルにおける,前記多結晶化すべき半導体薄膜の結晶化を開始させる強度ETHを与える前記レーザービームの照射面での位置をX(ETH)とし、前記多結晶化すべき半導体薄膜のその厚み方向の全体を完全に結晶化させる強度E0 を与える前記レーザービームの照射面での位置をX(E0) としたとき、下記式を満足するように、前記パルス状レーザービームの前記半導体薄膜への照射領域を移動させることを特徴とする多結晶半導体薄膜の形成方法。【数1】

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/268

FI (3)：

H01L 29/78 627 G , H01L 21/20 , H01L 21/268 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

多結晶半導体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-033739 Applicant：株式会社ジーティシー
レーザー照射装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-103736 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-109149 Applicant：富士ゼロックス株式会社

Show all

Return to Previous Page