Pat

J-GLOBAL ID：200903068318974410

発光ダイオード素子

Inventor： 深澤 孝一 ,  宮下 純二 ,  土屋 康介
Applicant, Patent owner： 株式会社シチズン電子
Agent (1)： 浅川 哲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999249020
Publication number (International publication number)：2001077429
Application date： Sep. 02, 1999
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】 波長変換型の発光ダイオードを製造するに際して、製造工程の簡略化を図るようにする。【解決手段】 上面にn型半導体13とp型半導体14を成長させたサファイヤ基板12の下面側に蛍光材含有層17をサファイヤ基板12と一体に形成することによって、発光ダイオードの製造時には発光ダイオード素子11を搭載するだけで蛍光材含有層17を配置できるようにし、これによって発光ダイオードの製造工程を簡略化する。

Claim (excerpt)：

上面に半導体を成長させた素子基板の下面側に蛍光材含有層が素子基板と一体に形成されてなることを特徴とする発光ダイオード素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/52

FI (2)：

H01L 33/00 N ,  H01L 21/52 A

F-Term (16)：

5F041AA14 ,  5F041CA02 ,  5F041CA12 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041DA03 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA20 ,  5F041DB03 ,  5F041EE25 ,  5F047AA19 ,  5F047BA12 ,  5F047CA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 発光装置及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-311604   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 発光ダイオード装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-222785   Applicant：サンケン電気株式会社
• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-192406   Applicant：日本酸素株式会社
• 発光素子及び発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-315971   Applicant：松下電子工業株式会社