疎水性修飾ポリロタキサン

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：的場基憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008176558
Publication number (International publication number)：2008291267
Application date： Jul. 07, 2008
Publication date： Dec. 04, 2008
Summary：

【課題】有機溶剤に可溶な疎水性修飾ポリロタキサンの提供。【解決手段】疎水性修飾ポリロタキサンは、環状分子7と、この環状分子を串刺し状に包接する直鎖状分子6と、この直鎖状分子の両末端に配置され上記環状分子の脱離を防止する封鎖基8とを有する。環状分子がシクロデキストリンで、当該シクロデキストリンの水酸基の全部又は一部がトリチル基で修飾されている。シクロデキストリンのトリチル基による修飾度は、当該シクロデキストリンの水酸基が修飾され得る最大数を1とすると、0.02以上である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

環状分子と、この環状分子を串刺し状に包接する直鎖状分子と、この直鎖状分子の両末端に配置され上記環状分子の脱離を防止する封鎖基とを有するポリロタキサンにおいて、上記環状分子がシクロデキストリンであり、当該シクロデキストリンの水酸基の全部又は一部がトリチル基で修飾されていることを特徴とする疎水性修飾ポリロタキサン。

IPC (5)：

C08B 37/16 , C08G 85/00 , C08L 5/16 , C08L 67/04 , C08L 71/02

FI (5)：

C08B37/16 , C08G85/00 , C08L5/16 , C08L67/04 , C08L71/02

F-Term (25)：

4C090BA11 , 4C090BB52 , 4C090BB65 , 4C090BB76 , 4C090BB92 , 4C090BD37 , 4C090BD50 , 4C090DA03 , 4J002AB05W , 4J002CF19X , 4J002CH02X , 4J002FD140 , 4J002GB00 , 4J002GC00 , 4J002GH01 , 4J002GJ01 , 4J031BA22 , 4J031BA29 , 4J031BB01 , 4J031BB02 , 4J031BD03 , 4J031BD05 , 4J031BD12 , 4J031BD13 , 4J031CA06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

特許第3475252号公報

Cited by examiner (1)

ポリロタキサンの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-310144 Applicant：株式会社ブリヂストン

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