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J-GLOBAL ID：200903068399399474

MIS素子並びに之を用いたアナログMISFET、しきい値電圧の補正方法、チャネルポテンシャル調整方法、バイアス回路、電荷転送装置、固体撮像装置、電荷検出装置

Inventor：
広田 功

About 広田 功


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994164310
Publication number (International publication number)：1996032065
Application date： Jul. 15, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：
【要約】【目的】 MIS素子において、そのしきい値電圧ないしチャネルポテンシャルをアナログ的に設定可能にする。【構成】 ゲート絶縁膜が酸化膜、窒化膜、酸化膜の順に積層された多層構成を有するMIS素子であって、このMIS素子のしきい値電圧ないしチャネルポテンシャルを窒化膜に注入した電荷量によって制御するように構成する。
Claim (excerpt)：
しきい値電圧を調整する所定量の電荷をゲート絶縁膜に保持して成ることを特徴とするアナログMISFET。
IPC (7)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/762 ,  H01L 21/339 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H04N 5/335
FI (3)：
H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/76 301 A ,  H01L 29/78 371
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 特開平4-142776
  • 電荷転送装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-307517   Applicant：ソニー株式会社
  • 特開昭54-143267
Cited by examiner (8)
  • 特開平4-142776
  • 特開昭54-143267
  • 特開平4-206967
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