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J-GLOBAL ID：200903068467192492
ナノシリコン発光素子の製造法及びそのナノシリコン発光素子
Inventor：
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,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岩堀 邦男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004075202
Publication number (International publication number)：2005268337
Application date： Mar. 16, 2004
Publication date： Sep. 29, 2005
Summary：
【目的】 本発明は、紫外光線照射ならびに直流電圧印加により光の三原色(赤色、緑色、青色)で発光するナノシリコン発光素子の製造法に関し、さらに、各発光色の輝度の制御を同一製造プロセス内で行う技術を確立したナノシリコン発光素子の製造法及びこの製造法から製造されたナノシリコン発光素子に関する。【構成】 半導体基板1上に、高周波スパッタリング法を用いてシリコン原子2と酸素原子が混ざり合ったアモルファスSiOx膜3を形成すること、不活性ガス中による熱処理4を介して前記シリコン原子2を約3.5nm以下のナノシリコンとして形成する過程において、該ナノシリコン6の結晶サイズをガス圧と高周波電力とによって制御するようにしたこと、室温において、低動作電圧にて光の三原色の何れかが発光することの、ナノシリコン発光素子の製造法。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、高周波スパッタリング法を用いてシリコン原子と酸素原子が混ざり合ったアモルファスSiOx膜を形成し、不活性ガス中による熱処理を介して前記シリコン原子を約3.5nm以下のナノシリコンとして形成する過程において、該ナノシリコンの結晶サイズをガス圧と高周波電力とによって制御するようにし、室温において、低動作電圧にて光の三原色の何れかが発光することを特徴とするナノシリコン発光素子の製造法。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (8)：
5F041AA05
, 5F041AA10
, 5F041AA42
, 5F041CA25
, 5F041CA33
, 5F041CA67
, 5F041FF01
, 5F041FF11
