半導体ウェーハの分割加工方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：佐々木功 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998186650
Publication number (International publication number)：2000021820
Application date： Jul. 01, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】半導体ウェーハを不完全切削した切削溝が表出するまでウェーハの裏面を研削してウェーハを分割することで、結晶方位を示すマークが分からなくなる支障を解消させる。【解決手段】半導体ウェーハ1を載置し、チャックテーブルを回転させながら少なくとも不完全切削工程で形成された切削溝20が表出するまで半導体ウェーハの裏面Bを研削する裏面研削工程と、分割加工方法とであって、裏面研削工程で半導体ウェーハをチャックテーブルに載置する際に、半導体ウェーハに形成された結晶方位を示すマークが所要方向を向くようにする位置合わせ工程と、裏面研削工程が終了した後に、チャックテーブルが半導体ウェーハに形成された結晶方位を示すマークを所要方向に向けて停止する位置付け停止工程と、半導体ウェーハに形成された結晶方位を示すマークが所要方向を向いた状態でチャックテーブルから半導体ウェーハを搬出する半導体ウェーハ搬出工程とが含まれる。

Claim (excerpt)：

ストリートにより区画されて半導体ペレットが複数形成された半導体ウェーハのストリートを所要深さ切削して切削溝を形成する不完全切削工程と、該切削溝が形成された面と保護テープの粘着面とを対面させ、半導体ウェーハの裏面が表になるようにして保護テープを貼着するテープ貼着工程と、該保護テープが貼着された面をチャックテーブル面に接触させて半導体ウェーハを載置し、該チャックテーブルを回転させながら少なくとも不完全切削工程で形成された切削溝が表出するまで半導体ウェーハの裏面を研削する裏面研削工程と、からなる分割加工方法であって、該裏面研削工程で半導体ウェーハをチャックテーブルに載置する際に、半導体ウェーハに形成された結晶方位を示すマークが所要方向を向くようにする位置合わせ工程と、該裏面研削工程が終了した後に、チャックテーブルが半導体ウェーハに形成された結晶方位を示すマークを所要方向に向けて停止する位置付け停止工程と、半導体ウェーハに形成された結晶方位を示すマークが所要方向を向いた状態でチャックテーブルから半導体ウェーハを搬出する半導体ウェーハ搬出工程と、が含まれることを特徴とする半導体ウェーハの分割加工方法。

IPC (2)：

H01L 21/301 , B28D 5/00

FI (2)：

H01L 21/78 Q , B28D 5/00 Z

F-Term (11)：

3C069AA01 , 3C069BA04 , 3C069BB04 , 3C069CA05 , 3C069CB02 , 3C069CB04 , 3C069DA07 , 3C069EA01 , 3C069EA02 , 3C069EA03 , 3C069EA05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特開昭60-155358
半導体ウエハのオリフラ位置合わせ機構
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-181553 Applicant：ラップマスターエスエフティ株式会社

Cited by examiner (3)

特開昭60-155358
特開昭60-155358
半導体ウエハのオリフラ位置合わせ機構
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-181553 Applicant：ラップマスターエスエフティ株式会社

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