Pat
J-GLOBAL ID：200903068524951443
マイクロ素子の冷却方法、磁気再生ヘッドの製造方法、マイクロデバイスおよび磁気再生ヘッド
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
三反崎 泰司
, 藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004152383
Publication number (International publication number)：2004349708
Application date： May. 21, 2004
Publication date： Dec. 09, 2004
Summary：
【課題】 簡素な構成でありながら作動時の温度上昇を抑制でき、出力電圧の増大を図ることのできる磁気再生ヘッドを提供する。【解決手段】 互いに異なる熱電能を有する下部および上部リード層21,23を、GMR素子10を挟んで対向するように隣接配置し、さらに、その外側に下部および上部ヒートシンク25,26を設ける。上部および下部リード層21,23を介してGMR素子10に適切な方向のセンス電流を流すことにより、GMR素子10で発生するジュール熱を、熱電効果を利用して下部および上部ヒートシンク25,26によって継続的に吸収し、GMR素子10を冷却する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
導電性を有するマイクロ素子を冷却する方法であって、
第1のリード層を、前記マイクロ素子の第1の面と接続するステップと、
前記第1のリード層とは異なる熱電能を有する第2のリード層を、前記マイクロ素子における第1の面とは反対側の第2の面と接続するステップと、
前記第1および第2のリード層のうちの少なくとも一方を、ヒートシンクと接続するステップと、
前記第1および第2のリード層を介して前記マイクロ素子へ流した直流電流に起因して前記マイクロ素子に生ずる熱を前記ヒートシンクへ移動させるステップと
を含むことを特徴とするマイクロ素子の冷却方法。
IPC (5)：
H01L35/20
, G11B5/39
, H01L35/30
, H01L35/32
, H01L43/08
H01L35/20
, G11B5/39
, H01L35/30
, H01L35/32
, H01L43/08 Z
5D034BA03
, 5D034BA05
, 5D034BA09
, 5D034CA02
, 5D034DA07
Cited by applicant (5)
Show all
Cited by examiner (3)
Return to Previous Page
