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J-GLOBAL ID：200903068550026138

プラズマスパッタ装置

Inventor：
有賀 美知雄

About 有賀 美知雄


Applicant, Patent owner：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

About アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド


Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996301753
Publication number (International publication number)：1998140346
Application date： Nov. 13, 1996
Publication date： May. 26, 1998
Summary：
【要約】【課題】 スパッタ原子のイオン化率を改善するIPC方式のプラズマスパッタ装置を提供すること。【解決手段】 本発明は、真空チャンバ10内に誘導結合プラズマを発生させるプラズマスパッタ装置において、前記誘導結合プラズマを発生すべく真空チャンバ10内に配置された略円筒形の一巻き型のコイル26と、コイル26に高周波電力を印加する高周波電源34とを備えたことを特徴とする。この構成を2極スパッタ装置に適用した場合、コイル26はペディスタル18とターゲット16との間に配置されるが、このコイル26は略円筒形であるので、シールドとしても機能する。これによりコイル26の内径を十分に小さくすることが可能となり、真空チャンバ10の中央部分のプラズマ密度を高め、そこを通過するスパッタ原子のイオン化率を改善することができる。
Claim (excerpt)：
真空チャンバ内に誘導結合プラズマを発生させるプラズマスパッタ装置において、前記誘導結合プラズマを発生すべく前記真空チャンバ内に配置された略円筒形の一巻き型のコイルと、前記コイルに高周波電力を印加する高周波電源とを備えるプラズマスパッタ装置。
IPC (3)：
C23C 14/35 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285
FI (3)：
C23C 14/35 Z ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • スパッタリング装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-318115   Applicant：日本電信電話株式会社
  • 特開平4-147969
  • スパッタリング装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-058345   Applicant：株式会社日立製作所

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