銅被膜の選択形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999203052
Publication number (International publication number)：2001035811
Application date： Jul. 16, 1999
Publication date： Feb. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】金属、絶縁材料等の任意の材料からなる下地の必要とする領域に銅を選択的に堆積して原料コストの低減等を達成することが可能な銅被膜の選択形成方法を提供しようとものである。【解決手段】基板上の下地膜表面にシランカップリング剤または界面活性剤の薄膜を形成する工程と、前記薄膜の銅被膜形成予定領域にUV光を選択的に照射する工程と、銅のCVDを行なって、前記下地膜の銅被膜形成予定領域に銅被膜を選択的に成膜する工程とを具備したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上の下地膜表面にシランカップリング剤または界面活性剤の薄膜を形成する工程と、前記薄膜の銅被膜形成予定領域を親水性にする工程と、銅のCVDを行なって、前記下地膜の銅被膜形成予定領域に銅被膜を選択的に成膜する工程とを具備したことを特徴とする銅被膜の選択形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/285 , H01L 21/3205 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L 21/285 C , H01L 21/88 M , H01L 29/78 616 K

F-Term (42)：

4M104AA01 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104CC05 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104DD47 , 4M104FF21 , 4M104GG08 , 4M104GG14 , 5F033HH11 , 5F033PP02 , 5F033PP08 , 5F033QQ01 , 5F033QQ68 , 5F033VV06 , 5F033XX08 , 5F110AA03 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE45 , 5F110EE47 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG32 , 5F110GG47 , 5F110GG53 , 5F110PP03 , 5F110PP27 , 5F110PP32 , 5F110QQ04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-181289 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体装置の製造方法及び製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-211979 Applicant：株式会社東芝

Return to Previous Page