半導体装置の製造方法及び半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998082319
Publication number (International publication number)：1999283922
Application date： Mar. 27, 1998
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】一定且つ良好な特性を持つ薄膜トランジスタ等の半導体素子を基板上に比較的容易に形成する。【解決手段】基板上にシリコン膜を形成する成膜工程と、該シリコン膜中でドナー又はアクセプタとして振る舞うことが無く且つシリコン膜を非晶質化することが可能な元素をシリコン膜に所定量注入する注入工程と、該元素が注入されたシリコン膜に熱を加えることにより結晶化させてポリシリコン膜を形成する熱処理工程と、該ポリシリコン膜を用いて半導体素子を形成する素子形成工程とを備える。

Claim (excerpt)：

基板上にシリコン膜を形成する成膜工程と、該シリコン膜中でドナー又はアクセプタとして振る舞うことが無く且つ前記シリコン膜を非晶質化することが可能な元素を前記シリコン膜に所定量注入する注入工程と、該元素が注入されたシリコン膜に熱を加えることにより結晶化させてポリシリコン膜を形成する熱処理工程と、該ポリシリコン膜を用いて半導体素子を形成する素子形成工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 , H01L 21/265 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5)：

H01L 21/20 , H01L 21/265 Q , H01L 21/265 P , H01L 29/78 618 G , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

特開平3-280434
特開平2-140915
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-086986 Applicant：日産自動車株式会社

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