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J-GLOBAL ID：200903068607634440

量子井戸構造半導体素子

Inventor： 高野 信司
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993323000
Publication number (International publication number)：1995183617
Application date： Dec. 22, 1993
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 従来、周波数変調効率が低く雑音特性、コヒーレント特性に欠点のあった量子井戸構造半導体素子の課題を解決し、低雑音・高変調効率の量子井戸構造素子を容易に、歩留まり良く作製する手段を提供する。【構成】 本発明は、量子井戸層50および閉じ込め層31,32を含む半導体層を積層してなる量子井戸構造半導体素子において、閉じ込め層31,32内に閉じ込め層よりもバンドギャップの小さな第二の閉じ込め層40を用いることにより、周波数変調効率が大きく低雑音なDFB-LDを容易に実現する。

Claim (excerpt)：

量子井戸層および閉じ込め層を含む半導体層を半導体基板上に積層してなる量子井戸構造半導体素子において、閉じ込め層内に閉じ込め層よりもバンドギャップの小さな第二の閉じ込め層を有することを特徴とする量子井戸構造半導体素子。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/68 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-080984
  
• 量子井戸分布帰還型半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-224762   Applicant：日本電気株式会社