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J-GLOBAL ID：200903068628818680

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 早見 泰明
Applicant, Patent owner： 日産自動車株式会社
Agent (1)： 三好 秀和 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998154798
Publication number (International publication number)：1999354780
Application date： Jun. 03, 1998
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】 パワートランジスタの微細加工が実現できる半導体装置の製造方法を提供する。パワートランジスタの占有面積を減少し、集積度が向上できる半導体装置を提供する。パワートランジスタのオン抵抗を減少できる半導体装置を提供する。【解決手段】 縦型構造のパワートランジスタを有する半導体装置の製造方法において、溝6内部の途中の深さまでゲート電極8を埋設する工程と、ゲート電極8上で溝6の残りの深さに分離用絶縁膜9を埋設する工程と、を備える。分離用絶縁膜9は溝6の占有面積内にこの溝6に対して自己整合で形成される。分離用絶縁膜9はゲート電極8とこのゲート電極8上に配設されるソース電極10との間を電気的に分離する。

Claim (excerpt)：

第1導電型半導体領域の第1動作領域主面部に第2導電型半導体領域の第2動作領域を形成する工程と、前記第2動作領域主面部に第1導電型半導体領域の第3動作領域を形成する工程と、前記第3動作領域表面の一部の領域から前記第2動作領域を貫通する程度の溝を形成する工程と、前記溝内壁に沿って絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上であって溝内の途中の深さまで第1電極を埋設する工程と、前記溝内の残りの深さに分離用絶縁膜を埋設する工程と、前記第1電極上に分離用絶縁膜を介して第3動作領域に接続される第2電極を形成する工程と、を備え、前記第1動作領域、第2動作領域、第3動作領域、絶縁膜及び第1電極を有するトランジスタを形成し、このトランジスタの第3動作領域に第2電極が電気的に接続されたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 653 C ,  H01L 29/78 658 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 絶縁ゲート型半導体装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-058406   Applicant：株式会社東芝