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J-GLOBAL ID：200903068662826943

薄膜形成法及び装置並びに集積回路装置

Inventor： 二瓶 正恭 ,  大貫 仁
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992309986
Publication number (International publication number)：1994158299
Application date： Nov. 19, 1992
Publication date： Jun. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】高密度集積回路のコンタクトホール等のカバレッジを大幅に改善できるバイアススパッタ法及び装置を提供すること。【構成】本発明は、カバレッジとホール底部のダメージを改善する手段としてターゲットと基板間の距離を従来のスパッタ法,バイアススパッタ法より長くし、圧力の低い条件で膜形成することにより基板に対し垂直スパッタ粒子を多くし、ホール底部に多く膜を堆積させホール底部のダメージを防止すると共にカバレッジを改善するバイアススパッタ法である。【効果】アスペクト比1.5 以上の高密度集積回路のコンタクトホール等のカバレッジを大幅に改善できるので高密度集積回路の信頼性を向上させる。

Claim (excerpt)：

スパッタ法,バイアススパッタ法,バイアスとスパッタを交互に行うバイアススパッタ法において、ターゲットと基板間距離を115mm以上,膜形成圧力を660mPa以下で膜形成することを特徴とする薄膜形成法。

IPC (4)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/90

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-195272
  
• 特開平3-223462
  
• 特開平3-129737
  
• 特開平2-185967