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J-GLOBAL ID：200903068682790686

固体撮像素子及びその製造方法

Inventor：
遠山 茂

About 遠山 茂


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 稲垣 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000031524
Publication number (International publication number)：2001223352
Application date： Feb. 09, 2000
Publication date： Aug. 17, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 フレームトランスファー型あるいはフルフレーム型固体撮像素子の感度を向上させ、しかも歩留まり良く、高信頼性にする。【解決手段】 撮像領域にはn型CCDチャネル領域3及びそれを垂直方向に区切るp+型チャネル阻止領域4が形成してあり、p+型チャネル阻止領域の上に島状あるいは帯状の前置Si酸化膜5及びポリSi補強膜6が設けてあり、少なくともSi窒化膜8を含むゲート絶縁膜がそれらの上に設けてある。ポリSi補強膜上のゲート絶縁膜にはコンタクトホール10が開口され、複数層のポリSi転送電極の各層のポリSi転送電極がポリSi補強膜とそれぞれポリSi-ポリSiコンタクトを形成している。複数層のポリSi転送電極上に絶縁膜が形成してあり、ポリSi補強膜で厚さを増した部分上の絶縁膜にコンタクトホールが開口され、コンタクトホールを介して複数層の各々のポリSi転送電極と裏打金属配線とが接続されている。
Claim (excerpt)：
少なくとも、光電変換を行ない、かつ、発生した信号電荷を読み出す垂直電荷結合素子列から成る撮像領域と、前記垂直電荷結合素子列の信号電荷を受け取り転送する水平電荷結合素子と、その信号電荷を電荷-電圧変換して出力する出力部とを具備する固体撮像素子において、前記垂直電荷結合素子列には第1導電型CCDチャネル領域及びそれを垂直方向に区切る第2導電型チャネル阻止領域が形成してあり、前記第2導電型チャネル阻止領域の上に島状あるいは帯状の前置Si酸化膜及びポリSi補強膜が設けてあり、少なくともSi窒化膜を含むゲート絶縁膜が前記第1導電型CCDチャネル領域上及びポリSi補強膜上に設けてあり、前記ポリSi補強膜上のゲート絶縁膜にはコンタクトホールが開口され、複数層のポリSi転送電極の各層のポリSi転送電極が前記ポリSi補強膜とそれぞれポリSi-ポリSiコンタクトを形成しており、前記複数層のポリSi転送電極上に絶縁膜が形成してあり、前記複数層のポリSi転送電極のポリSi補強膜で厚さを増した部分上の前記絶縁膜にコンタクトホールが開口され、前記コンタクトホールを介して複数層の各々のポリSi転送電極と裏打金属配線とが接続されていることを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2)：
H01L 27/148 ,  H04N 5/335
FI (3)：
H04N 5/335 F ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 B
F-Term (18)：
4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA12 ,  4M118DA03 ,  4M118DA20 ,  4M118DA28 ,  4M118DA32 ,  4M118DA40 ,  4M118EA17 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GB11 ,  5C024AX01 ,  5C024CY47 ,  5C024EX25 ,  5C024GY01 ,  5C024GY03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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