単結晶成長方法及び単結晶成長装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井内龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993233209
Publication number (International publication number)：1995082084
Application date： Sep. 20, 1993
Publication date： Mar. 28, 1995
Summary：

【要約】【構成】融液から結晶を引き上げながら成長させるSi単結晶14の成長方法において、成長させたSi単結晶14を1200°Cから700°Cの温度範囲において急冷する単結晶成長方法。【効果】 Si単結晶引き上げ時の酸素析出物の成長を抑制することができ、高品質のSi単結晶14を製造することができる。また前記方法により得られたSi単結晶14より作製されたSiウエハではその後の熱処理等においてもOSFの発生を少なくすることができる。

Claim (excerpt)：

融液から結晶を引き上げながら成長させるSi単結晶の成長方法であって、成長させたSiの単結晶を1200°Cから700°Cの温度範囲において急冷することを特徴とする単結晶成長方法。

IPC (3)：

C30B 29/06 502 , C30B 15/00 , H01L 21/208

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開昭57-205397
特開昭61-068389
特開昭63-050391

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