Pat
J-GLOBAL ID：200903068733480156
自然超格子ホモロガス単結晶薄膜とその製造方法
Inventor：
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
,
,
Agent (1)：
西 義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001340066
Publication number (International publication number)：2003137692
Application date： Nov. 05, 2001
Publication date： May. 14, 2003
Summary：
【要約】【課題】 薄膜成長法でホモロガス相M1M2O3(ZnO)mを成長させると、蒸気圧の高いZnOの蒸発が顕著に起こり、組成が制御できないことに加え、均質な超格子が形成できない。【構成】 単結晶基板に形成したZnOエピタキシャル薄膜上または該薄膜の消失した該単結晶基板上、あるいはZnO単結晶上にエピタキシャル成長した式M1M2O3(ZnO)m(ただし、M1は、Ga,Fe,Sc,In,Lu,Yb,Tm,Er,Ho及びYのうち少なくとも1種類、M2は、Mn,Fe,Ga,In,Alのうち少なくとも1種類とし、mは、1を含む1以上の自然数)で表される複合酸化物からなることを特徴とする自然超格子ホモロガス単結晶薄膜。複合酸化物を堆積し、得られた積層膜を加熱拡散して製造する。本発明の自然超格子ホモロガス単結晶薄膜は、光デバイス、電子デバイス、X線光学デバイスなどに用いられる。
Claim (excerpt)：
ZnOエピタキシャル薄膜上にエピタキシャル成長した式M1M2O3(ZnO)m(ただし、M1は、Ga,Fe,Sc,In,Lu,Yb,Tm,Er,Ho及びYのうち少なくとも1種類、M2は、Mn,Fe,Ga,In,Alのうち少なくとも1種類とし、mは、1を含む1以上の自然数)で表される複合酸化物からなることを特徴とする自然超格子ホモロガス単結晶薄膜。
F-Term (8)：
4G077AA03
, 4G077BC60
, 4G077DA03
, 4G077ED06
, 4G077EF02
, 4G077FE02
, 4G077HA02
, 4G077HA06
Cited by examiner (2)
-
酸化亜鉛基ホモロガス化合物薄膜の製造法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-228168
Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構
-
半導体デバイス
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-082043
Applicant：科学技術振興事業団
Return to Previous Page
