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J-GLOBAL ID：200903068750291782

絶縁膜、絶縁膜パターン、薄膜トランジスタ、液晶表示装置、及び、液体パターン形成装置

Inventor：
田邉 浩

About 田邉 浩


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 稲垣 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007011302
Publication number (International publication number)：2007142451
Application date： Jan. 22, 2007
Publication date： Jun. 07, 2007
Summary：
【課題】原材料をあらかじめ選択的に基板上に供給することにより、使用する原材料の量を削減し、且つ、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を省いて製造工程の簡略化を図る。【解決手段】液状原料を液滴102として所定の方向に複数回吐出、飛翔させて選択的に基板101上に塗布し液体パターン103を形成する工程と、その液体パターン103を固化して薄膜パターン104に形成する工程と、薄膜パターン104にレーザを照射して結晶化膜106に形成する工程とから成る、シリコン系半導体膜及び酸化シリコン系絶縁体膜等を形成する薄膜形成方法。リソグラフィ工程及びエッチング工程の省略による製造工程の簡略化と使用材料の量の削減とを図る。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
SinH2n+2(n>=2)で表される液状原料の液滴を選択的に基板上に塗布して形成した所望の液体パターンを固化して形成した半導体薄膜パターンを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (8)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  B05D 7/24 ,  B05D 5/12 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/316 ,  B05C 5/00
FI (9)：
H01L29/78 618A ,  B05D7/24 302Y ,  B05D5/12 D ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 619A ,  H01L21/208 Z ,  H01L21/318 A ,  H01L21/316 A ,  B05C5/00 101
F-Term (73)：
4D075AC06 ,  4D075AC09 ,  4D075AC88 ,  4D075AC93 ,  4D075AC95 ,  4D075CA23 ,  4D075CB38 ,  4D075DA06 ,  4D075DB13 ,  4D075DB14 ,  4D075DC19 ,  4D075DC22 ,  4D075EA07 ,  4D075EB43 ,  4D075EB47 ,  4F041AA06 ,  4F041AB01 ,  4F041BA10 ,  4F041BA13 ,  4F041BA48 ,  5F053AA06 ,  5F053AA50 ,  5F053DD01 ,  5F053FF01 ,  5F053PP03 ,  5F053RR05 ,  5F058BA11 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BF54 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BG10 ,  5F058BH02 ,  5F058BJ04 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB10 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF26 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF31 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110GG42 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN32 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN37 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP06 ,  5F110PP07 ,  5F110PP08 ,  5F110PP10 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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