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J-GLOBAL ID：200903068790239090

強誘電体薄膜及びその製造方法

Inventor： 飯島 高志 ,  安田 喜昭 ,  赤松 雅洋 ,  谷 雅直
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  スタンレー電気株式会社
Agent (1)： 丹羽 宏之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001268803
Publication number (International publication number)：2003081694
Application date： Sep. 05, 2001
Publication date： Mar. 19, 2003
Summary：

【要約】【課題】 簡便なプロセスで、膜厚が1μm以上の比較的厚い膜でも優先的な結晶配向を制御可能な強誘電体薄膜を得られるようにする。【解決手段】 化学溶液堆積法とアーク放電反応性イオンプレーティング法を用いて、単結晶、多結晶、非晶質の何れかの基体上に形成された多結晶のPt膜上に、2種類以上の複数種の優先的な結晶配向性の強誘電体酸化物薄膜を形成し、1軸優先配向性の強誘電体薄膜を作製する。その際、Si基板101上にSiO2層102を設け、その上にTi電極層103、Pt電極層104を形成したものを下地基板とし、この基板上に、強誘電体シード層106と強誘電体薄膜層105を順次形成する。

Claim (excerpt)：

基体上に形成されたPt膜上に、複数種の優先的な結晶配向性の強誘電体酸化物膜を形成したことを特徴とする1軸優先配向性の強誘電体薄膜。

IPC (7)：

C30B 29/32 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/105 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/187

FI (10)：

C30B 29/32 A ,  C23C 14/34 N ,  H01L 21/316 B ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 X ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 41/08 D ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/18 101 Z

F-Term (28)：

4G077AA03 ,  4G077BC41 ,  4G077DA15 ,  4G077EF01 ,  4G077HA06 ,  4G077SA04 ,  4G077SB05 ,  4K029AA06 ,  4K029BA43 ,  4K029BB02 ,  4K029BD01 ,  4K029CA03 ,  4K029DD06 ,  4K029EA01 ,  4K029FA07 ,  5F058BA11 ,  5F058BD05 ,  5F058BF18 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F083FR01 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特許第2995290号
  
• 強誘電体薄膜の製造方法及びその製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-041160   Applicant：スタンレー電気株式会社