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J-GLOBAL ID：200903090750427035

強誘電体薄膜の製造方法及びその製造装置

Inventor： 安田 喜昭 ,  谷 雅直
Applicant, Patent owner： スタンレー電気株式会社
Agent (1)： 丹羽 宏之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000041160
Publication number (International publication number)：2001234331
Application date： Feb. 18, 2000
Publication date： Aug. 31, 2001
Summary：

【要約】【課題】 ペロブスカイト型構造の強誘電体酸化物の薄膜製造において、薄膜の作製温度を下げることができ、高品質の薄膜が得られるようにする。【解決手段】 真空容器1内で蒸発源2により成膜の材料M1〜M2を独立に蒸発させ、また圧力勾配型アーク放電プラズマガン6により反射型URプラズマ7を発生させ、これにガス導入管10,11から酸素ガスを導入して、この高密度酸素プラズマ及び酸素の活性種の存在下で、ヒータ4により加熱された基体3に強誘電体酸化物の薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

真空チャンバ内で基体に強誘電体の薄膜を成膜する薄膜製造方法であって、複数の成膜材料をそれぞれ独立に蒸発させ、これらの材料を圧力勾配型アーク放電プラズマガンからの反射型プラズマを介して同時に基体上に蒸着するようにしたことを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。

IPC (3)：

C23C 14/08 ,  C01G 25/00 ,  C23C 14/38

FI (3)：

C23C 14/08 K ,  C01G 25/00 ,  C23C 14/38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• MgO膜形成方法およびパネル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-181213   Applicant：大日本印刷株式会社
• 特開平3-271360
  
• 真空成膜装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-181244   Applicant：大日本印刷株式会社
• 特開平4-246168