半導体検査装置

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：作田康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999271804
Publication number (International publication number)：2001091543
Application date： Sep. 27, 1999
Publication date： Apr. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】従来の半導体素子検査装置では、個々のプローブを高精度に位置決め、固定することに大きな手間を要し、一度に検査できる電極パッド数およびチップ数が限られていた。【解決手段】検査用半導体素子の複数の電極パッドと検査装置に配置された複数の電気接続基板のシリコンからなる第一基板に形成されたプローブを個々に直接接触させて、電気的に接続しながら半導体素子を検査する装置において、前記プローブが形成された第一基板はプローブが片持ち梁上に形成され、絶縁層を介して、配線がプローブ先端から片持ち梁の先端部に沿って、プローブ形成面の反対面に形成された電極パッド部まで、連続してつながっている構造を用いることにより解決できる。

Claim (excerpt)：

検査用半導体素子の複数の電極パッドと検査装置に配置された複数の電気接続基板のシリコンからなる第一基板に形成されたプローブを個々に直接接触させて、電気的に接続しながら半導体素子を検査する装置において、前記プローブが形成された第一基板はプローブが片持ち梁上に形成され、絶縁層を介して、配線がプローブ先端から片持ち梁の先端部に沿って、プローブ形成面の反対面に形成された電極パッド部まで連続してつながっていることを特徴とする半導体検査装置。

IPC (2)：

G01R 1/073 , H01L 21/66

FI (2)：

G01R 1/073 F , H01L 21/66 B

F-Term (18)：

2G011AA16 , 2G011AA21 , 2G011AB01 , 2G011AB06 , 2G011AB09 , 2G011AC06 , 2G011AC14 , 2G011AC32 , 2G011AE03 , 2G011AF07 , 4M106AA01 , 4M106BA01 , 4M106CA01 , 4M106CA09 , 4M106CA56 , 4M106DD03 , 4M106DD15 , 4M106DD30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平1-147374
特開平2-245669
プローブ装置およびその製造方法、ならびにメディア移動型メモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-130870 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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