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J-GLOBAL ID:200903068857194941

有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法と表示装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴木 晴敏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999265763
Publication number (International publication number):2001085163
Application date: Sep. 20, 1999
Publication date: Mar. 30, 2001
Summary:
【要約】【課題】 上面光取り出し型の有機エレクトロルミネッセンス素子では、透明導電膜を用いて、薄い金属膜からなる陰極の保護と、配線抵抗の低抵抗化を図る。この際、スパッタリングにより上質の透明導電膜を成膜する必要がある。しかし、スパッタリングは、堆積する粒子のエネルギーが高いため、下地に対してダメージを与える。【解決手段】 有機エレクトロルミネッセンス素子の有機層10は、陽極Aから供給される正孔と陰極Kから供給される電子との再結合によって発光する発光層を含んでいる。これを製造する場合、基板1の上に陽極Aを形成する陽極形成工程と、陽極Aの上に有機層10を形成する有機層形成工程と、有機層10の上に発光を透過可能な厚みで陰極Kを形成する陰極形成工程と、陰極Kを被覆するように透明導電膜12をスパッタリングで成膜する透明導電膜形成工程とを行なう。ここで、透明導電膜形成工程は、成膜の初期にはスパッタリングに要する電力を低く設定し、成膜の進行に応じて該電力を高く設定する。
Claim (excerpt):
陽極と、陰極と、両者の間に保持された有機層とからなり、前記有機層は該陽極から供給される正孔と該陰極から供給される電子との再結合によって発光する発光層を含んでいる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、基板の上に陽極を形成する陽極形成工程と、該陽極の上に有機層を形成する有機層形成工程と、該有機層の上に該発光が透過可能な厚みで陰極を形成する陰極形成工程と、該陰極を被覆するように透明導電膜をスパッタリングで成膜する透明導電膜形成工程とからなり、前記透明導電膜形成工程は、成膜の初期にはスパッタリングに要する電力を低く設定し、成膜の進行に応じて該電力を高く設定することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
IPC (3):
H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/28
FI (3):
H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/28
F-Term (10):
3K007AB05 ,  3K007BA06 ,  3K007BB07 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA00 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA00 ,  3K007FA01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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