2次電子画像検出方法及びその装置並びに集束荷電粒子ビームによる処理方法及びその装置

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997319288
Publication number (International publication number)：1999154479
Application date： Nov. 20, 1997
Publication date： Jun. 08, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】試料の状態、種類によらず安定して帯電を回避し、リアルタイムで試料の2次電子画像を高解像度で検出して試料のパターン観察や集束荷電粒子ビームの位置決め等を高精度に実現し、1.0μm以下の加工処理を実現する。【解決手段】集束荷電粒子ビーム3を制御して試料7の表面の所望の個所に照射して処理を施し、その表面の領域に集束荷電粒子ビーム3を照射して試料の表面から発生する2次電子に基づく2次電子画像を検出する集束荷電粒子ビームによる処理方法及びその装置であって、試料の表面に集束荷電粒子ビームが照射される領域を含めて正イオンビーム22を照射して試料の表面上において導電層29を電荷を逃がす手段30につなげて誘起させることによって、試料の表面に帯電する電荷を誘起導電層を介して電荷を逃がす手段から逃がす。

Claim (excerpt)：

集束荷電粒子ビームを試料の表面に照射して該試料の表面から発生する2次電子に基づく2次電子画像を検出する2次電子画像検出方法であって、前記試料の表面上に前記集束荷電粒子ビームが照射される領域を含めて正イオンビームを照射して導電層を誘起させることによって試料の表面に帯電する電荷を前記誘起導電層を介して逃がすことを特徴とする2次電子画像信号検出方法。

IPC (2)：

H01J 37/20 , H01J 37/28

FI (2)：

H01J 37/20 H , H01J 37/28 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

荷電ビーム処理装置およびその方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-276243 Applicant：株式会社日立製作所
特開昭63-272034
特開平1-107446

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