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J-GLOBAL ID：200903068948737204

ホトマスク及び半導体装置の製造方法

Inventor： 大越 健
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995287717
Publication number (International publication number)：1997127676
Application date： Nov. 06, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】半導体装置の微細加工に関し、特にリソグラフィ工程の光露光に関する。光近接効果補正の手法を用いたホトマスクにおいて、ホトマスクの異物欠陥検査を行う際、誤検出されないパターン配置のホトマスクを提供すること。【解決手段】光近接効果補正のための補助パターンに透過材料を用いる。ホトマスクのクロムパターン11の端部に露光波長に対して位相を変化させる効果のある透明膜13を配置する。あるいは前記光近接効果補正のための補助パターンを前記ホトマスクの基板を掘ることにより形成する。【効果】ホトマスクの異物欠陥検査の際に補助パターンが誤検出されることはなく、高精度な検査が可能である。更に前記ホトマスクを用いることにより、半導体装置製造の過程において、設計マージン、プロセス上もプロセスマージンが確保でき、半導体装置製造の歩留まり向上等に寄与する。

Claim (excerpt)：

光近接効果補正の手法を用いたホトマスクにおいて、前記光近接効果補正のための補助パターンに透過材料を用いることを特徴とするホトマスク。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-267382   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-132540   Applicant：シャープ株式会社